Title :

Structural and compositional characterization of MOVPE GaN thin films transferred from sapphire to glass substrates using chemical lift-off and room temperature direct wafer bonding and GaN wafer scale MOVPE growth on ZnO-buffered sapphire

Author(s) :

Gautier, S. [Auteur]
Laboratoire Matériaux Optiques, Photonique et Systèmes [LMOPS]
Moudakir, T. [Auteur]
Patriarche, G. [Auteur]
Laboratoire de photonique et de nanostructures [LPN]
Rogers, D.J. [Auteur]
Sandana, V. E. [Auteur]
Hosseini Teherani, F. [Auteur]
Bove, P. [Auteur]
El Gmili, Y. [Auteur]
Pantzas, K. [Auteur]
Sundaram, S. [Auteur]
Troadec, david [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Voss, P.L. [Auteur]
Razeghi, M. [Auteur]
Center for Quantum Devices [Evanston] [CQD]
Ougazzaden, A. [Auteur]

Journal title :

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH

Pages :

63-67

Publisher :

Elsevier

Publication date :

2013-05-01

ISSN :

0022-0248

Language :

Anglais

Peer reviewed article :

Oui

Audience :

Internationale

Popular science :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

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