Title :

Microwave performance of 100 nm-gate In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As high electron mobility transistors on plastic flexible substrate

Author(s) :

Shi, J. [Auteur]
Wichmann, Nicolas [Auteur]
Roelens, Yannick [Auteur]
Bollaert, S. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Journal title :

Applied Physics Letters

Pages :

203505-1-3

Publisher :

American Institute of Physics

Publication date :

2011

ISSN :

0003-6951

HAL domain(s) :

Sciences de l'ingénieur [physics]

Language :

Anglais

Peer reviewed article :

Oui

Audience :

Non spécifiée

Popular science :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL