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A 65nm CMOS 60 GHz Class F-E Power Amplifier ...
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Document type :
Communication dans un congrès avec actes
Title :
A 65nm CMOS 60 GHz Class F-E Power Amplifier for WPAN applications
Author(s) :
Drean, Sophie [Auteur]
STMicroelectronics [Grenoble] [ST-GRENOBLE]
Deltimple, Nathalie [Auteur]
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système [IMS]
Kerhervé, Eric [Auteur]
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système [IMS]
Martineau, Baudouin [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Belot, Didier [Auteur]
STMicroelectronics [Crolles] [ST-CROLLES]
Conference title :
IEEE Symposium on Integrated Circuits and Systems Design (SBCCI) 2012
City :
Brasilia
Country :
Brésil
Start date of the conference :
2012-08-31
Book title :
IEEE Proceedings of the SBCCI 2012
Publication date :
2012-08-31
English keyword(s) :
60 GHz
millimeter wave power amplifiers
Class E power amplifier
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]/Micro et nanotechnologies/Microélectronique
English abstract : [en]
This work presents a two-stage 65nm CMOS 60 GHz Power Amplifier composed by a Class E power stage and a Class F driver stage, dedicated to low cost Wireless Personal area network (WPAN) applications. To provide a switching ...
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This work presents a two-stage 65nm CMOS 60 GHz Power Amplifier composed by a Class E power stage and a Class F driver stage, dedicated to low cost Wireless Personal area network (WPAN) applications. To provide a switching operation at 60 GHz, an output network with distributed elements is used instead of lumped elements. The simulation results show a saturated output power of 15 dBm with a peak PAE of 26% at 60 GHz. It achieves a gain of 15dB at 60 GHz.Show less >
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Internationale
Popular science :
Non
Collections :
  • Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520
Source :
Harvested from HAL
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