Efficient photogeneration of charge carriers ...
Document type :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
Title :
Efficient photogeneration of charge carriers in silicon nanowires with a radial doping gradient
Author(s) :
Murthy, D.H.K. [Auteur]
Eindhoven University of Technology [Eindhoven] [TU/e]
Delft University of Technology [TU Delft]
Xu, T. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Chen, W. H. [Auteur]
Groupe de physique des matériaux [GPM]
Houtepen A., J. [Auteur]
Delft University of Technology [TU Delft]
Savenije, T.J. [Auteur]
Delft University of Technology [TU Delft]
Siebbeles, L.D.A. [Auteur]
Delft University of Technology [TU Delft]
Nys, J.P. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Krzeminski, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Grandidier, Bruno [Auteur correspondant]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Stiévenard, Didier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Pareige, Philippe [Auteur]
Groupe de physique des matériaux [GPM]
Jomard, F. [Auteur]
Groupe d'Etude de la Matière Condensée [GEMAC]
Patriache, Gilles [Auteur]
Laboratoire de photonique et de nanostructures [LPN]
Lebedev, O.I. [Auteur]
Laboratoire de cristallographie et sciences des matériaux [CRISMAT]
Eindhoven University of Technology [Eindhoven] [TU/e]
Delft University of Technology [TU Delft]
Xu, T. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Chen, W. H. [Auteur]
Groupe de physique des matériaux [GPM]
Houtepen A., J. [Auteur]
Delft University of Technology [TU Delft]
Savenije, T.J. [Auteur]
Delft University of Technology [TU Delft]
Siebbeles, L.D.A. [Auteur]
Delft University of Technology [TU Delft]
Nys, J.P. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Krzeminski, Christophe [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Grandidier, Bruno [Auteur correspondant]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Stiévenard, Didier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Pareige, Philippe [Auteur]
Groupe de physique des matériaux [GPM]
Jomard, F. [Auteur]
Groupe d'Etude de la Matière Condensée [GEMAC]
Patriache, Gilles [Auteur]
Laboratoire de photonique et de nanostructures [LPN]
Lebedev, O.I. [Auteur]
Laboratoire de cristallographie et sciences des matériaux [CRISMAT]
Journal title :
Nanotechnology
Pages :
315710
Publisher :
Institute of Physics
Publication date :
2011-07-08
ISSN :
0957-4484
English keyword(s) :
Nanoscale science and low-D systems Nanoscale science and low-D systems
Surfaces interfaces and thin films
Condensed matter: electrical magnetic and optical
Surfaces interfaces and thin films
Condensed matter: electrical magnetic and optical
HAL domain(s) :
Physique [physics]/Matière Condensée [cond-mat]/Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]
English abstract : [en]
From electrodeless time-resolved microwave conductivity measurements, the efficiency of charge carrier generation, their mobility, and decay kinetics on photo-excitation were studied in arrays of Si nanowires grown by the ...
Show more >From electrodeless time-resolved microwave conductivity measurements, the efficiency of charge carrier generation, their mobility, and decay kinetics on photo-excitation were studied in arrays of Si nanowires grown by the vapor-liquid-solid mechanism. A large enhancement in the magnitude of the photoconductance and charge carrier lifetime are found depending on the incorporation of impurities during the growth. They are explained by the internal electric field that builds up, due to a higher doped sidewalls, as revealed by detailed analysis of the nanowire morphology and chemical composition.Show less >
Show more >From electrodeless time-resolved microwave conductivity measurements, the efficiency of charge carrier generation, their mobility, and decay kinetics on photo-excitation were studied in arrays of Si nanowires grown by the vapor-liquid-solid mechanism. A large enhancement in the magnitude of the photoconductance and charge carrier lifetime are found depending on the incorporation of impurities during the growth. They are explained by the internal electric field that builds up, due to a higher doped sidewalls, as revealed by detailed analysis of the nanowire morphology and chemical composition.Show less >
Language :
Anglais
Popular science :
Non
Comment :
6pp
Source :
Files
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- photogeneration_radial_doping_gradient_SiNWs.pdf
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