Above 600 mS/mm transconductance with 2.3 ...
Document type :
Article dans une revue scientifique
DOI :
Title :
Above 600 mS/mm transconductance with 2.3 A/mm drain current density AlN/GaN high electron mobility transistors grown on silicon
Author(s) :
Medjdoub, Farid [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Zegaoui, Malek [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Waldhoff, Nicolas [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Grimbert, B. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Rolland, N. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Rolland, Paul-Alain [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Zegaoui, Malek [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Waldhoff, Nicolas [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Grimbert, B. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Rolland, N. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Rolland, Paul-Alain [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Journal title :
Japanese Journal of Applied Physics, part 2 : Letters
Pages :
064106-1-3
Publisher :
Japan Society of Applied Physics
Publication date :
2011
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]
English abstract : [en]
AlN/GaN high-electron-mobility transistors (HEMTs) capped with an in-situ grown SiN have been successfully developed on 100mm Si substrates. A unique combination of maximum output current density exceeding 2A/mm and a ...
Show more >AlN/GaN high-electron-mobility transistors (HEMTs) capped with an in-situ grown SiN have been successfully developed on 100mm Si substrates. A unique combination of maximum output current density exceeding 2A/mm and a record extrinsic transconductance above 600 mS/mm has been reached, which is well beyond the highest reported values of any GaN-on-Si HEMTs. The current gain extrinsic cutoff frequency fT and the maximum oscillation frequency fmax were 85 and 103GHz with 0.16-μm gate length, respectively, resulting in a high fT.Lg product that promises low-cost, high performance millimeter wave electronics.Show less >
Show more >AlN/GaN high-electron-mobility transistors (HEMTs) capped with an in-situ grown SiN have been successfully developed on 100mm Si substrates. A unique combination of maximum output current density exceeding 2A/mm and a record extrinsic transconductance above 600 mS/mm has been reached, which is well beyond the highest reported values of any GaN-on-Si HEMTs. The current gain extrinsic cutoff frequency fT and the maximum oscillation frequency fmax were 85 and 103GHz with 0.16-μm gate length, respectively, resulting in a high fT.Lg product that promises low-cost, high performance millimeter wave electronics.Show less >
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Source :