Title :

Fabrication et caractérisation de MOSFET In0.53Ga0.47As de type N en technologie auto-aligné et de longueur de grille de 300nm

Author(s) :

Mo, J. [Auteur]
Olivier, A. [Auteur]
Wichmann, Nicolas [Auteur]
Roelens, Yannick [Auteur]
Desplanque, Ludovic [Auteur]
Wallart, Xavier [Auteur]
Danneville, François [Auteur]
Dambrine, Gilles [Auteur]
Martin, F. [Auteur]
Desplats, O. [Auteur]
Bollaert, Sylvain [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Conference title :

17èmes Journées Nationales Micro-ondes, JNM 2011

Country :

France

Start date of the conference :

2011

Book title :

Actes des 17èmes Journées Nationales Micro-ondes, JNM 2011

Publisher :

_

Publication date :

2011

Language :

Français

Peer reviewed article :

Oui

Audience :

Non spécifiée

Popular science :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL