Contribution au développement d'une filière ...
Type de document :
Partie d'ouvrage
Titre :
Contribution au développement d'une filière de transistor de forte puissance à base de technologie HEMT GaN pour applications télécoms et radar
Auteur(s) :
Le Coustre, Gwenaël [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Date de publication :
2009
Langue :
Français
Audience :
Non spécifiée
Source :