Title :

The effects of gate length variation and trapping effects on the transient response of AlGaN/GaN HEMT's on SiC substrates

Author(s) :

Gassoumi, M. [Auteur]
Ben Salem, M.M. [Auteur]
Saadaoui, S. [Auteur]
Grimbert, B. [Auteur]
Fontaine, Julien [Auteur]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Maaref, H. [Auteur]

Journal title :

MICROELECTRONIC ENGINEERING

Pages :

370-372

Publisher :

Elsevier

Publication date :

2011

ISSN :

0167-9317

Language :

Anglais

Popular science :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL