Fabrication et caractérisation de MOSFET ...
Document type :
Communication dans un congrès avec actes
Title :
Fabrication et caractérisation de MOSFET In0.53Ga0.47As de type N en technologie auto-aligné et de longueur de grille de 200nm
Author(s) :
Mo, J.J [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Conference title :
13èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Microélectronique, JNRDM 2010
Country :
France
Start date of the conference :
2010
Book title :
Actes des 13èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Microélectronique, JNRDM 2010
Publisher :
_
Publication date :
2010
Language :
Français
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Source :