Fabrication et caractérisation de MOSFET ...

Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
Titre :
Fabrication et caractérisation de MOSFET In0.53Ga0.47As de type N en technologie auto-aligné et de longueur de grille de 200nm
Auteur(s) :
Mo, J.J [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Titre de la manifestation scientifique :
13èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Microélectronique, JNRDM 2010
Pays :
France
Date de début de la manifestation scientifique :
2010
Titre de l’ouvrage :
Actes des 13èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Microélectronique, JNRDM 2010
Éditeur :
_
Date de publication :
2010
Langue :
Français
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Collections :
Source :
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