Sub-terahertz resistive mixing in a AlGaN/GaN HEMT
Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
Titre :
Sub-terahertz resistive mixing in a AlGaN/GaN HEMT
Auteur(s) :
Madjour, Kamel [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Ducournau, Guillaume [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
lepilliet, sl [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Akalin, Tahsin [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lampin, Jean-Francois [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Di Forte-Poisson, Marie-Antoinette [Auteur]
Alcatel-Thales III-V Lab [III-V Lab ]
Delage, Sylvain Laurent [Auteur]
Alcatel-Thales III-V Lab [III-V Lab ]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Ducournau, Guillaume [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
lepilliet, sl [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Akalin, Tahsin [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lampin, Jean-Francois [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Di Forte-Poisson, Marie-Antoinette [Auteur]
Alcatel-Thales III-V Lab [III-V Lab ]
Delage, Sylvain Laurent [Auteur]
Alcatel-Thales III-V Lab [III-V Lab ]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Titre de la manifestation scientifique :
35th International Conference on Infrared, Millimeter and THz Waves, IRMMW-THz 2010
Ville :
Rome
Pays :
Italie
Date de début de la manifestation scientifique :
2010-09-05
Titre de l’ouvrage :
Proceedings of the 35th International Conference on Infrared, Millimeter and THz Waves, IRMMW-THz 2010
Éditeur :
_
Date de publication :
2010
Mot(s)-clé(s) en anglais :
Mixers
FETs
Logic gates
Gallium nitride
Linearity
Aluminum gallium nitride
FETs
Logic gates
Gallium nitride
Linearity
Aluminum gallium nitride
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Résumé en anglais : [en]
An AlGaN/GaN based field effect transistor (FET) has been designed, fabricated, and used as a resistive mixer for heterodyne detection in the 140-220 GHz frequency range. A double VNA heterodyne measurement setup has been ...
Lire la suite >An AlGaN/GaN based field effect transistor (FET) has been designed, fabricated, and used as a resistive mixer for heterodyne detection in the 140-220 GHz frequency range. A double VNA heterodyne measurement setup has been used in an on-wafer configuration to accurately quantify the incident radiation absorbed by the device. The appropriate selection of optimum biasing conditions for minimum conversion losses is investigated. 47.3 dB conversion losses are obtained at 150 GHz and the device linearity is confirmed.Lire moins >
Lire la suite >An AlGaN/GaN based field effect transistor (FET) has been designed, fabricated, and used as a resistive mixer for heterodyne detection in the 140-220 GHz frequency range. A double VNA heterodyne measurement setup has been used in an on-wafer configuration to accurately quantify the incident radiation absorbed by the device. The appropriate selection of optimum biasing conditions for minimum conversion losses is investigated. 47.3 dB conversion losses are obtained at 150 GHz and the device linearity is confirmed.Lire moins >
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Internationale
Vulgarisation :
Non
Source :