Reliability assessment in different HTO ...
Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
Titre :
Reliability assessment in different HTO test conditions of AlGaN/GaN HEMTs
Auteur(s) :
Malbert, N. [Auteur]
Labat, N. [Auteur]
Curutchet, A. [Auteur]
Sury, C. [Auteur]
Hoel, Virginie [Auteur]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Defrance, Nicolas [Auteur]
Douvry, Y. [Auteur]
Dua, C. [Auteur]
Oualli, M. [Auteur]
Piazza, M. [Auteur]
Bru-Chevallier, C. [Auteur]
Bluet, J.M. [Auteur]
Chikhaoui, W. [Auteur]
Labat, N. [Auteur]
Curutchet, A. [Auteur]
Sury, C. [Auteur]
Hoel, Virginie [Auteur]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Defrance, Nicolas [Auteur]
Douvry, Y. [Auteur]
Dua, C. [Auteur]
Oualli, M. [Auteur]
Piazza, M. [Auteur]
Bru-Chevallier, C. [Auteur]
Bluet, J.M. [Auteur]
Chikhaoui, W. [Auteur]
Titre de la manifestation scientifique :
IEEE International Reliability Physics Symposium, IRPS 2010
Pays :
Etats-Unis d'Amérique
Date de début de la manifestation scientifique :
2010
Titre de l’ouvrage :
Proceedings of the 2010 IEEE International Reliability Physics Symposium, IRPS 2010
Éditeur :
_
Date de publication :
2010
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Source :