GaN-on-Si HEMTs above 10 W/mm at 2 GHz ...
Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
Titre :
GaN-on-Si HEMTs above 10 W/mm at 2 GHz together with high thermal stability at 325°C
Auteur(s) :
Medjdoub, Farid [Auteur]
Marcon, D. [Auteur]
Das, J. [Auteur]
Derluyn, J. [Auteur]
Cheng, K. [Auteur]
Degroote, S. [Auteur]
Vellas, N. [Auteur]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Germain, Marie [Auteur]
Decoutere, S. [Auteur]
Marcon, D. [Auteur]
Das, J. [Auteur]
Derluyn, J. [Auteur]
Cheng, K. [Auteur]
Degroote, S. [Auteur]
Vellas, N. [Auteur]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Germain, Marie [Auteur]
Decoutere, S. [Auteur]
Titre de la manifestation scientifique :
5th European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2010
Pays :
France
Date de début de la manifestation scientifique :
2010
Titre de l’ouvrage :
Proceedings of the 5th European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2010
Éditeur :
_
Date de publication :
2010
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Source :