Backgate bias and stress level impact on ...

Document type :
Communication dans un congrès avec actes
DOI :
10.1109/MEMSYS.2010.5442464
Title :
Backgate bias and stress level impact on giant piezoresistance effect in thin silicon films and nanowires
Author(s) :
Passi, V. [Auteur]
Raskin, J.P. [Auteur]
Ravaux, F. [Auteur]
Dubois, Emmanuel [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Conference title :
23rd IEEE International Conference on Micro Electro Mechanical Systems, MEMS 2010
Country :
Chine
Start date of the conference :
2010
Book title :
Proceedings of the 23rd IEEE International Conference on Micro Electro Mechanical Systems, MEMS 2010
Publisher :
_
Publication date :
2010
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL