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Trap characterization in AlGaN/GaN HEMT ...
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Document type :
Article dans une revue scientifique
DOI :
10.1002/sia.3462
Title :
Trap characterization in AlGaN/GaN HEMT by analyzing frequency dispersion in capacitance and conductance
Author(s) :
Semra, L. [Auteur]
Telia, A. [Auteur]
Soltani, A. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Journal title :
Surface and Interface Analysis
Pages :
799-802
Publisher :
Wiley-Blackwell
Publication date :
2010
ISSN :
0142-2421
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Collections :
  • Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520
Source :
Harvested from HAL
Files
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