Trap characterization in AlGaN/GaN HEMT ...
Document type :
Article dans une revue scientifique
DOI :
Title :
Trap characterization in AlGaN/GaN HEMT by analyzing frequency dispersion in capacitance and conductance
Author(s) :
Semra, L. [Auteur]
Telia, A. [Auteur]
Soltani, A. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Telia, A. [Auteur]
Soltani, A. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Journal title :
Surface and Interface Analysis
Pages :
799-802
Publisher :
Wiley-Blackwell
Publication date :
2010
ISSN :
0142-2421
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Source :
Files
- https://api.istex.fr/document/5B6D8FA236CD289E19D96E4C716E24BF2A02DC5C/fulltext/pdf?sid=hal
- Open access
- Access the document
- https://api.istex.fr/document/5B6D8FA236CD289E19D96E4C716E24BF2A02DC5C/fulltext/pdf?sid=hal
- Open access
- Access the document
- https://api.istex.fr/document/5B6D8FA236CD289E19D96E4C716E24BF2A02DC5C/fulltext/pdf?sid=hal
- Open access
- Access the document
- https://api.istex.fr/document/5B6D8FA236CD289E19D96E4C716E24BF2A02DC5C/fulltext/pdf?sid=hal
- Open access
- Access the document
- https://api.istex.fr/document/5B6D8FA236CD289E19D96E4C716E24BF2A02DC5C/fulltext/pdf?sid=hal
- Open access
- Access the document
- https://api.istex.fr/document/5B6D8FA236CD289E19D96E4C716E24BF2A02DC5C/fulltext/pdf?sid=hal
- Open access
- Access the document
- Open access
- Access the document