Title :

Optical and microstructural properties versus indium content in InxGa1-xN films grown by metal organic chemical vapor deposition

Author(s) :

Gokarna, Anisha [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Gauthier-Brun, Aurélien [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Liu, Will [Auteur]
Androussi, Ydir [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Dumont, Eric [Auteur]
Dogheche, El Hadj [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Teng, J.H. [Auteur]
Chua, Soojin [Auteur]
Decoster, Didier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Journal title :

Applied Physics Letters

Pages :

191909

Publisher :

American Institute of Physics

Publication date :

2010

ISSN :

0003-6951

HAL domain(s) :

Physique [physics]/Matière Condensée [cond-mat]/Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

English abstract : [en]

We present comparative investigations of single phase InxGa1−xN alloys for a varying In content (x=0.07 to 0.14) grown by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) technique. While the composition was determined using ...
Show more >We present comparative investigations of single phase InxGa1−xN alloys for a varying In content (x=0.07 to 0.14) grown by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) technique. While the composition was determined using secondary ion mass spectroscopy, we have investigated the microstructures in InxGa1−xN/GaN films by using transmission electron microscopy and correlated these with the refractive index of the material. Based on ellipsometric analysis of the films, the dispersion of optical indices for InxGa1−xN films is determined by using Tauc–Lorentz dispersion equations.Show less >

Language :

Anglais

Peer reviewed article :

Oui

Audience :

Non spécifiée

Popular science :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL