A High Mobility Field-Effect Transistor ...
Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
DOI :
Titre :
A High Mobility Field-Effect Transistor as an Antenna for sub-THz Radiation
Auteur(s) :
Sakowicz, Maciej [Auteur]
Institute of Experimental Physics [Warsaw] [IFD]
Łusakowski, Jerzy [Auteur]
Institute of Experimental Physics [Warsaw] [IFD]
Karpierz, Krzysztof [Auteur]
Institute of Experimental Physics [Warsaw] [IFD]
Grynberg, Marian [Auteur]
Institute of Experimental Physics [Warsaw] [IFD]
Gwarek, Wojciech [Auteur]
Institute of Experimental Physics [Warsaw] [IFD]
Boubanga Tombet, Stephane [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Coquillat, Dominique [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Knap, Wojciech [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Shchepetov, Andrey [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Bollaert, Sylvain [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Institute of Experimental Physics [Warsaw] [IFD]
Łusakowski, Jerzy [Auteur]
Institute of Experimental Physics [Warsaw] [IFD]
Karpierz, Krzysztof [Auteur]
Institute of Experimental Physics [Warsaw] [IFD]
Grynberg, Marian [Auteur]
Institute of Experimental Physics [Warsaw] [IFD]
Gwarek, Wojciech [Auteur]
Institute of Experimental Physics [Warsaw] [IFD]
Boubanga Tombet, Stephane [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Coquillat, Dominique [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Knap, Wojciech [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Shchepetov, Andrey [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Bollaert, Sylvain [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Titre de la manifestation scientifique :
29th International Conference on Physics of Semiconductors, ICPS-29
Ville :
Rio de Janeiro
Pays :
Brésil
Date de début de la manifestation scientifique :
2008-07-27
Date de publication :
2009-01-01
Mot(s)-clé(s) en anglais :
Antenna
Detection
Field effect transistor
THz
Detection
Field effect transistor
THz
Discipline(s) HAL :
Physique [physics]/Physique [physics]/Physique Générale [physics.gen-ph]
Résumé en anglais : [en]
The experiments on radiation coupling to field effect transistors working as terahertz radiation detectors are reported. Two types of high electron mobility transistors: InGaAs/InAlAs and GaAs/AlGaAs, with different layout ...
Lire la suite >The experiments on radiation coupling to field effect transistors working as terahertz radiation detectors are reported. Two types of high electron mobility transistors: InGaAs/InAlAs and GaAs/AlGaAs, with different layout geometries are studied. We show that terahertz radiation coupling efficiency is related to the layout of contact electrodes that play a role of an antenna. Our results show that the antenna coupling efficiency is one of the most important parameter to optimize in future field effect transistor based terahertz detectors.Lire moins >
Lire la suite >The experiments on radiation coupling to field effect transistors working as terahertz radiation detectors are reported. Two types of high electron mobility transistors: InGaAs/InAlAs and GaAs/AlGaAs, with different layout geometries are studied. We show that terahertz radiation coupling efficiency is related to the layout of contact electrodes that play a role of an antenna. Our results show that the antenna coupling efficiency is one of the most important parameter to optimize in future field effect transistor based terahertz detectors.Lire moins >
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Internationale
Vulgarisation :
Non
Source :