Terahertz response of InGaAs field effect ...
Document type :
Article dans une revue scientifique
Title :
Terahertz response of InGaAs field effect transistors in quantizing magnetic fields
Author(s) :
Klimenko, Oleg [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Mityagin, Yu. [Auteur]
Videlier, Hadley [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Teppe, Frederic [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Dyakonova, N. [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Consejo, Christophe [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Bollaert, S. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Murzin, V. [Auteur]
Knap, Wojciech [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Mityagin, Yu. [Auteur]
Videlier, Hadley [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Teppe, Frederic [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Dyakonova, N. [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Consejo, Christophe [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Bollaert, S. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Murzin, V. [Auteur]
Knap, Wojciech [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Journal title :
Applied Physics Letters
Pages :
022111
Publisher :
American Institute of Physics
Publication date :
2010-07-12
ISSN :
0003-6951
HAL domain(s) :
Physique [physics]/Physique [physics]/Physique Générale [physics.gen-ph]
English abstract : [en]
Terahertz (THz) detection by plasma wave mechanism in InGaAs field effect transistors is studied in high/quantizing magnetic fields regime. The correlation between the photovoltaic response and magnetoresistance is revealed. ...
Show more >Terahertz (THz) detection by plasma wave mechanism in InGaAs field effect transistors is studied in high/quantizing magnetic fields regime. The correlation between the photovoltaic response and magnetoresistance is revealed. It allows explaining the dominant physical mechanism responsible for strong oscillations observed in the transistor THz photoresponse. The results indicate also a serious discrepancy between experimental data and existing theoretical model. (C) 2010 American Institute of Physics.Show less >
Show more >Terahertz (THz) detection by plasma wave mechanism in InGaAs field effect transistors is studied in high/quantizing magnetic fields regime. The correlation between the photovoltaic response and magnetoresistance is revealed. It allows explaining the dominant physical mechanism responsible for strong oscillations observed in the transistor THz photoresponse. The results indicate also a serious discrepancy between experimental data and existing theoretical model. (C) 2010 American Institute of Physics.Show less >
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Internationale
Popular science :
Non
Source :