Title :

Terahertz response of InGaAs field effect transistors in quantizing magnetic fields

Author(s) :

Klimenko, Oleg [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Mityagin, Yu. [Auteur]
Videlier, Hadley [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Teppe, Frederic [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Dyakonova, N. [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Consejo, Christophe [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Bollaert, S. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Murzin, V. [Auteur]
Knap, Wojciech [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]

Journal title :

Applied Physics Letters

Pages :

022111

Publisher :

American Institute of Physics

Publication date :

2010-07-12

ISSN :

0003-6951

HAL domain(s) :

Physique [physics]/Physique [physics]/Physique Générale [physics.gen-ph]

English abstract : [en]

Terahertz (THz) detection by plasma wave mechanism in InGaAs field effect transistors is studied in high/quantizing magnetic fields regime. The correlation between the photovoltaic response and magnetoresistance is revealed. ...
Show more >Terahertz (THz) detection by plasma wave mechanism in InGaAs field effect transistors is studied in high/quantizing magnetic fields regime. The correlation between the photovoltaic response and magnetoresistance is revealed. It allows explaining the dominant physical mechanism responsible for strong oscillations observed in the transistor THz photoresponse. The results indicate also a serious discrepancy between experimental data and existing theoretical model. (C) 2010 American Institute of Physics.Show less >

Language :

Anglais

Peer reviewed article :

Oui

Audience :

Internationale

Popular science :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL