Title :

Selective area growth of GaN-based structures by molecular beam epitaxy on micrometer and nanometer size patterns

Author(s) :

Cordier, Yvon [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Semond, Fabrice [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Moreno, Jean-Christophe [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Frayssinet, Éric [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Benbakhti, Brahim [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Cao, Z. [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Chenot, Sébastien [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Nguyen, Lee [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Tottereau, Olivier [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Soltani, Ali [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Blary, Karine [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Journal title :

Materials Science in Semiconductor Processing

Pages :

16-20

Publisher :

Elsevier

Publication date :

2009

ISSN :

1369-8001

English keyword(s) :

Molecular beam epitaxy
Nitrides
Selective area epitaxy

HAL domain(s) :

Sciences de l'ingénieur [physics]

English abstract : [en]

In this work, we describe the main features of selective area growth (SAG) of GaN by molecular beam epitaxy (MBE) using ammonia. Different schemes such as growth into micrometer and nanometer size windows in Si3N4 dielectric ...
Show more >In this work, we describe the main features of selective area growth (SAG) of GaN by molecular beam epitaxy (MBE) using ammonia. Different schemes such as growth into micrometer and nanometer size windows in Si3N4 dielectric masks and mesa structures etched on GaN or Silicon substrate are studied.Show less >

Language :

Anglais

Peer reviewed article :

Oui

Audience :

Internationale

Popular science :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL