AlGaN/GaN MISHEMT with hBN as gate dielectric

Document type :
Article dans une revue scientifique
Title :
AlGaN/GaN MISHEMT with hBN as gate dielectric
Author(s) :
Gerbedoen, J.C. [Auteur]
Soltani, A. [Auteur]
Mattalah, M. [Auteur]
Moreau, M. [Auteur]
Thevenin, P. [Auteur]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Journal title :
Diamond and Related Materials
Pages :
1039-1042
Publisher :
Elsevier
Publication date :
2009
ISSN :
0925-9635
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL