InAlN/GaN MOSHEMT with self-aligned thermally ...

Document type :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...)
DOI :
10.1109/LED.2009.2031659
Permalink :
http://hdl.handle.net/20.500.12210/50243
Title :
InAlN/GaN MOSHEMT with self-aligned thermally generated oxide recess
Author(s) :
Alomari, M. [Auteur]
Medjdoub, Farid [Auteur] refId
Carlin, J.F. [Auteur]
Feltin, E. [Auteur]
Grandjean, N. [Auteur]
Chuvilin, A. [Auteur]
Kaiser, U. [Auteur]
Gaquiere, C. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Kohn, E. [Auteur]
Publisher :
Institute of Electrical and Electronics Engineers
Publication date :
2009
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL
Submission date :
2021-07-27T18:51:58Z