Arsenic-segregated rare earth silicide ...
Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
DOI :
Titre :
Arsenic-segregated rare earth silicide junctions : reduction of Schottky barrier and integration in metallic n-MOSFETs on SOI
Auteur(s) :
Larrieu, G. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Yarekha, Dmitri [Auteur]
DUBOIS, Emmanuel [Auteur]
Breil, N. [Auteur]
Fainot, O. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Yarekha, Dmitri [Auteur]
DUBOIS, Emmanuel [Auteur]
Breil, N. [Auteur]
Fainot, O. [Auteur]
Titre de la revue :
IEEE Electron Device Letters
Pagination :
1266-1268
Éditeur :
Institute of Electrical and Electronics Engineers
Date de publication :
2009
ISSN :
0741-3106
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Source :