Procédé de fabrication de transistors ...
Type de document :
Brevet
Titre :
Procédé de fabrication de transistors MOSFET complémentaires de type P et N, et dispositif électronique comprenant de tels transistors, et processeur comprenant au moins un tel dispositif
Auteur(s) :
Larrieu, G. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
DUBOIS, Emmanuel [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
DUBOIS, Emmanuel [Auteur]
Date de publication :
2009-10-16
Numéro du brevet :
FR2930073 (A1)
Langue :
Français
Commentaire :
n° de priorité : FR20080052464 20080411 ; également publié en tant que : WO2009136095 (A2) 2009-11-12 ; WO2009136095 (A3) 2009-12-30 ; FR2930073 (B1) 2010-09-03 ; EP2279520 (A2) 2011-02-02 ; US2011121400 (A1) 2011-05-26 ; JP2011519152 (A) 2011-06-30 ; US8362570 (B2) 2013-01-29
Source :