Growth and characterization of AlInN/GaN ...
Document type :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...): Communication dans un congrès avec actes
Title :
Growth and characterization of AlInN/GaN field effect transistors
Author(s) :
Carlin, J.F. [Auteur]
Medjdoub, Farid [Auteur]
Gonschorek, M. [Auteur]
Feltin, E. [Auteur]
Py, M.A. [Auteur]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Grandjean, N. [Auteur]
Kohn, E. [Auteur]
Medjdoub, Farid [Auteur]

Gonschorek, M. [Auteur]
Feltin, E. [Auteur]
Py, M.A. [Auteur]
Gaquiere, Christophe [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Grandjean, N. [Auteur]
Kohn, E. [Auteur]
Conference title :
Proceedings of the 7th International Conference of Nitride Semiconductors, ICNS-7
City :
Las Vegas, NV
Country :
Etats-Unis d'Amérique
Start date of the conference :
2007
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Source :