Characterization of carbon nanotube ...
Document type :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...): Communication dans un congrès avec actes
Title :
Characterization of carbon nanotube field-effect transistors using an active load pull LSNA setup
Author(s) :
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Curutchet, Arnaud [Auteur]
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système [IMS]
Théron, Didier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Werquin, Matthieu [Auteur]
DUCATTEAU, Damien [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Bethoux, Jean-Marc [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Happy, Henri [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Dambrine, Gilles [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Derycke, Vincent [Auteur]
CEA- Saclay [CEA]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Curutchet, Arnaud [Auteur]
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système [IMS]
Théron, Didier [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Werquin, Matthieu [Auteur]
DUCATTEAU, Damien [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Bethoux, Jean-Marc [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Happy, Henri [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Dambrine, Gilles [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Derycke, Vincent [Auteur]
CEA- Saclay [CEA]
Conference title :
71st ARFTG Microwave Measurement Conference, ARFTG 2008
City :
Atlanta, GA
Country :
Etats-Unis d'Amérique
Start date of the conference :
2008-06-20
English keyword(s) :
CNTFETs
Current measurement
Microwave theory and techniques
Frequency measurement
Microwave measurements
Microwave transistors
Logic gates
Current measurement
Microwave theory and techniques
Frequency measurement
Microwave measurements
Microwave transistors
Logic gates
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]
English abstract : [en]
CNFETs have been characterized under large signal conditions at 600 MHz with an original active load pull setup using a LSNA. A non linear model of CNFET has been established and validated by comparison with the experimental ...
Show more >CNFETs have been characterized under large signal conditions at 600 MHz with an original active load pull setup using a LSNA. A non linear model of CNFET has been established and validated by comparison with the experimental results. Using this non linear model, design of circuits can be considered, allowing the optimization in non linear behavior.Show less >
Show more >CNFETs have been characterized under large signal conditions at 600 MHz with an original active load pull setup using a LSNA. A non linear model of CNFET has been established and validated by comparison with the experimental results. Using this non linear model, design of circuits can be considered, allowing the optimization in non linear behavior.Show less >
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Internationale
Popular science :
Non
Source :