Characterization of silicon nitride thin ...
Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
Titre :
Characterization of silicon nitride thin films used as stressor liners on CMOS FETs
Auteur(s) :
Raymond, G. [Auteur]
Morin, Pascal [Auteur]
Devos, Arnaud [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Hess, D.A. [Auteur]
Braccini, M. [Auteur]
Volpi, F. [Auteur]
Morin, Pascal [Auteur]
Devos, Arnaud [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Hess, D.A. [Auteur]
Braccini, M. [Auteur]
Volpi, F. [Auteur]
Titre de la manifestation scientifique :
9th International Conference on Ultimate Integration of Silicon, ULIS 2008
Pays :
Italie
Date de début de la manifestation scientifique :
2008
Titre de l’ouvrage :
Proceedings of the 9th International Conference on Ultimate Integration of Silicon, ULIS 2008
Éditeur :
_
Date de publication :
2008
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Source :