GaNAsSb/GaAs waveguide photodetector with ...
Document type :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
DOI :
Title :
GaNAsSb/GaAs waveguide photodetector with response up to 1.6 µm grown by molecular beam epitaxy
Author(s) :
Loke, W.K. [Auteur]
Yoon, S.F. [Auteur]
Xu, Z. [Auteur]
Tan, K.H. [Auteur]
Ng, T.K. [Auteur]
Sim, Y.K. [Auteur]
Wicaksono, S. [Auteur]
Saadsaoud, N. [Auteur]
Decoster, Didier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Chazelas, J. [Auteur]
Yoon, S.F. [Auteur]
Xu, Z. [Auteur]
Tan, K.H. [Auteur]
Ng, T.K. [Auteur]
Sim, Y.K. [Auteur]
Wicaksono, S. [Auteur]
Saadsaoud, N. [Auteur]
Decoster, Didier [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Chazelas, J. [Auteur]
Journal title :
Applied Physics Letters
Pages :
081102-1-3
Publisher :
American Institute of Physics
Publication date :
2008
ISSN :
0003-6951
Language :
Anglais
Popular science :
Non
Source :