Title :

High responsivity GaNAsSb p-i-n photodetectors at 1.3 µm grown by radio-frequency nitrogen plasma-assisted molecular beam epitaxy

Author(s) :

Tan, K.H. [Auteur]
Yoon, S.F. [Auteur]
Loke, W.K. [Auteur]
Wicaksono, S. [Auteur]
Ng, T.K. [Auteur]
Lew, K.L. [Auteur]
Stoehr, A. [Auteur]
Fedderwitz, S. [Auteur]
Weiss, M. [Auteur]
Jaeger, D. [Auteur]
Saadsaoud, N. [Auteur]
Dogheche, El Hadj [Auteur]
Decoster, Didier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Chazelas, J. [Auteur]

Journal title :

Optics Express

Pages :

7720-7725

Publisher :

Optical Society of America - OSA Publishing

Publication date :

2008

ISSN :

1094-4087

Language :

Anglais

Popular science :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL