High responsivity GaNAsSb p-i-n photodetectors ...
Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
DOI :
Titre :
High responsivity GaNAsSb p-i-n photodetectors at 1.3 µm grown by radio-frequency nitrogen plasma-assisted molecular beam epitaxy
Auteur(s) :
Tan, K.H. [Auteur]
Yoon, S.F. [Auteur]
Loke, W.K. [Auteur]
Wicaksono, S. [Auteur]
Ng, T.K. [Auteur]
Lew, K.L. [Auteur]
Stoehr, A. [Auteur]
Fedderwitz, S. [Auteur]
Weiss, M. [Auteur]
Jaeger, D. [Auteur]
Saadsaoud, N. [Auteur]
Dogheche, El Hadj [Auteur]
Decoster, Didier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Chazelas, J. [Auteur]
Yoon, S.F. [Auteur]
Loke, W.K. [Auteur]
Wicaksono, S. [Auteur]
Ng, T.K. [Auteur]
Lew, K.L. [Auteur]
Stoehr, A. [Auteur]
Fedderwitz, S. [Auteur]
Weiss, M. [Auteur]
Jaeger, D. [Auteur]
Saadsaoud, N. [Auteur]
Dogheche, El Hadj [Auteur]
Decoster, Didier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Chazelas, J. [Auteur]
Titre de la revue :
Optics Express
Pagination :
7720-7725
Éditeur :
Optical Society of America - OSA Publishing
Date de publication :
2008
ISSN :
1094-4087
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Source :
Fichiers
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