Gate pulse electrical method to characterize ...

Document type :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...)
DOI :
10.1016/j.orgel.2008.07.013
Permalink :
http://hdl.handle.net/20.500.12210/51134
Title :
Gate pulse electrical method to characterize hysteresis phenomena in organic field effect transistor
Author(s) :
Petit, C. [Auteur]
Zander, D. [Auteur]
Lmimouni, K. [Auteur]
Ternisien, M. [Auteur]
Tondelier, D. [Auteur]
Lenfant, S. [Auteur]
Vuillaume, D. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Publisher :
Elsevier
Publication date :
2008
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL
Submission date :
2021-07-27T19:59:18Z