Impact of channel doping on Schottky barrier ...
Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
Titre :
Impact of channel doping on Schottky barrier height and investigation on p-SB MOSFETs performance
Auteur(s) :
Larrieu, G. [Auteur]
DUBOIS, Emmanuel [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Yarekha, Dmitri [Auteur]
Breil, N. [Auteur]
Reckinger, N. [Auteur]
Tang, Xing [Auteur]
Ratajczak, J. [Auteur]
Laszcz, A. [Auteur]
DUBOIS, Emmanuel [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Yarekha, Dmitri [Auteur]
Breil, N. [Auteur]
Reckinger, N. [Auteur]
Tang, Xing [Auteur]
Ratajczak, J. [Auteur]
Laszcz, A. [Auteur]
Titre de la revue :
Materials Science and Engineering: B
Pagination :
159-162
Éditeur :
Elsevier
Date de publication :
2008
ISSN :
0921-5107
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Source :
Fichiers
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