Low-temperature grown GaAsSb with ...
Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
Titre :
Low-temperature grown GaAsSb with sub-picosecond photocarrier lifetime for continuous-wave terahertz measurements
Auteur(s) :
Sigmund, J. [Auteur]
Lampin, Jean-Francois [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Ivannikov, V. [Auteur]
Sydlo, C. [Auteur]
Feiginov, M. [Auteur]
Pavlidis, D. [Auteur]
Meissner, P. [Auteur]
Hartnagel, H.L. [Auteur]
Lampin, Jean-Francois [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Ivannikov, V. [Auteur]
Sydlo, C. [Auteur]
Feiginov, M. [Auteur]
Pavlidis, D. [Auteur]
Meissner, P. [Auteur]
Hartnagel, H.L. [Auteur]
Titre de la revue :
IEICE Transactions on Electronics
Pagination :
1058-1062
Éditeur :
Institute of Electronics, Information and Communication Engineers
Date de publication :
2008
ISSN :
0916-8524
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Source :