Metamorphic high electron mobility Te-doped ...

Document type :
Article dans une revue scientifique
DOI :
10.1063/1.2978365
Title :
Metamorphic high electron mobility Te-doped AlInSb/GaInSb heterostructures on InP (001)
Author(s) :
Delhaye, G. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Desplanque, L. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Wallart, X. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Journal title :
Journal of Applied Physics
Pages :
066105
Publisher :
American Institute of Physics
Publication date :
2008
ISSN :
0021-8979
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]/Electronique
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL
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