Title :

Temperature analysis of AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors using micro-Raman scaterring spectroscopy and transient interferometric mapping

Author(s) :

Pichonat, E. [Auteur]
Laboratoire Avancé de Spectroscopie pour les Intéractions la Réactivité et l'Environnement - UMR 8516 [LASIRE]
Kuzmik, J. [Auteur]
Bychikhin, S. [Auteur]
Pogany, D. [Auteur]
Di Forte-Poisson, M.A. [Auteur]
Grimbert, B. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Gaquière, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Conference title :

Proceedings of the first European Microwave Integrated Circuits Conference

City :

Manchester

Country :

Royaume-Uni

Start date of the conference :

2006-09

Language :

Anglais

Peer reviewed article :

Oui

Audience :

Non spécifiée

Popular science :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

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