Temperature analysis of AlGaN/GaN ...
Document type :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...): Communication dans un congrès avec actes
Title :
Temperature analysis of AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors using micro-Raman scaterring spectroscopy and transient interferometric mapping
Author(s) :
Pichonat, E. [Auteur]
Laboratoire Avancé de Spectroscopie pour les Intéractions la Réactivité et l'Environnement - UMR 8516 [LASIRE]
Kuzmik, J. [Auteur]
Bychikhin, S. [Auteur]
Pogany, D. [Auteur]
Di Forte-Poisson, M.A. [Auteur]
Grimbert, B. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Gaquière, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Laboratoire Avancé de Spectroscopie pour les Intéractions la Réactivité et l'Environnement - UMR 8516 [LASIRE]
Kuzmik, J. [Auteur]
Bychikhin, S. [Auteur]
Pogany, D. [Auteur]
Di Forte-Poisson, M.A. [Auteur]
Grimbert, B. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Gaquière, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Conference title :
Proceedings of the first European Microwave Integrated Circuits Conference
City :
Manchester
Country :
Royaume-Uni
Start date of the conference :
2006-09
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Source :