Experimental study of hot electron inelastic ...

Document type :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...)
DOI :
10.1103/PhysRevB.65.121301
Permalink :
http://hdl.handle.net/20.500.12210/51286
Title :
Experimental study of hot electron inelastic scattering rate in p-type InGaAs
Author(s) :
Sicault, D. [Auteur]
Teissier, R. [Auteur]
Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de Montpellier [CEM2]
Pardo, F. [Auteur]
Laboratoire de photonique et de nanostructures [LPN]
Pelouard, J.-L. [Auteur]
Laboratoire de photonique et de nanostructures [LPN]
Mollot, F. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Publisher :
American Physical Society
Publication date :
2002-02-15
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]/Electronique
English abstract : [en]
The inelastic scattering rates of electrically injected minority hot electrons measured using a continuous-wave spatially resolved electroluminescence spectroscopy are reported. To our knowledge, this constitutes direct ...
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Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Internationale
Popular science :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL
Submission date :
2021-07-27T20:11:51Z