HIGH-FREQUENCY NOISE AND DIFFUSION-COEFFICIENT ...
Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
Titre :
HIGH-FREQUENCY NOISE AND DIFFUSION-COEFFICIENT OF HOT-ELECTRONS IN BULK AL0.25GA0.75AS
Auteur(s) :
Demurcia, M. [Auteur]
Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de Montpellier [CEM2]
Richard, E. [Auteur]
Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de Montpellier [CEM2]
Gasquet, D. [Auteur]
Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de Montpellier [CEM2]
Dubuc, J. [Auteur]
Vanbremeersch, J. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Zimmermann, J. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de Montpellier [CEM2]
Richard, E. [Auteur]
Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de Montpellier [CEM2]
Gasquet, D. [Auteur]
Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de Montpellier [CEM2]
Dubuc, J. [Auteur]
Vanbremeersch, J. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Zimmermann, J. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Titre de la revue :
Solid-State Electronics
Pagination :
1477-1483
Éditeur :
Elsevier
Date de publication :
1994-08
ISSN :
0038-1101
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]/Electronique
Résumé en anglais : [en]
We present experimental results of hot electron noise in Si doped Al0.25Ga0.75As test structures using pulsed high-frequency noise measurements. Noise temperature and longitudinal diffusion coefficient as functions of field ...
Lire la suite >We present experimental results of hot electron noise in Si doped Al0.25Ga0.75As test structures using pulsed high-frequency noise measurements. Noise temperature and longitudinal diffusion coefficient as functions of field strength are compared with those of Si doped GaAs. We find significant changes at high fields. Results are discussed in regard of electron scattering mechanisms.Lire moins >
Lire la suite >We present experimental results of hot electron noise in Si doped Al0.25Ga0.75As test structures using pulsed high-frequency noise measurements. Noise temperature and longitudinal diffusion coefficient as functions of field strength are compared with those of Si doped GaAs. We find significant changes at high fields. Results are discussed in regard of electron scattering mechanisms.Lire moins >
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Source :
Fichiers
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