Analyse du comportement petit signal du ...
Document type :
Partie d'ouvrage
Title :
Analyse du comportement petit signal du transistor MOS : contribution à une nouvelle approche d'extraction et de modélisation pour des applications RF
Author(s) :
Bouhana, Emmanuel [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Publication date :
2007
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Language :
Français
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Source :