Title :

Electron lifetime measurements of heavily C-doped InGaAs and GaAsSb as a function of the doping density

Author(s) :

Vignaud, Dominique [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Yarekha, Dmitri [Auteur]
Lampin, Jean-Francois [Auteur]
Zaknoune, Mohammed [Auteur]
Godey, Sylvie [Auteur]
Mollot, F. [Auteur]

Conference title :

19th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM'07

Country :

Japon

Start date of the conference :

2007

Book title :

Proceedings of the 19th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM'07

Publisher :

IEEE, Piscataway, NJ, USA

Publication date :

2007

Language :

Anglais

Peer reviewed article :

Oui

Audience :

Non spécifiée

Popular science :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

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