(Cl2:Ar) ICP/RIE dry etching of Al(Ga)Sb ...
Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
Titre :
(Cl2:Ar) ICP/RIE dry etching of Al(Ga)Sb for AlSb/InAs HEMTs
Auteur(s) :
Lefebvre, E. [Auteur]
Borg, M. [Auteur]
Malmkvist, M. [Auteur]
Grahn, J. [Auteur]
Desplanque, Ludovic [Auteur]
Wallart, Xavier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Roelens, Yannick [Auteur]
Dambrine, Gilles [Auteur]
Cappy, Alain [Auteur]
Bollaert, Sylvain [Auteur]
Borg, M. [Auteur]
Malmkvist, M. [Auteur]
Grahn, J. [Auteur]
Desplanque, Ludovic [Auteur]
Wallart, Xavier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Roelens, Yannick [Auteur]
Dambrine, Gilles [Auteur]
Cappy, Alain [Auteur]
Bollaert, Sylvain [Auteur]
Titre de la manifestation scientifique :
19th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM'07
Pays :
Japon
Date de début de la manifestation scientifique :
2007
Titre de l’ouvrage :
Proceedings of the 19th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM'07
Éditeur :
IEEE, Piscataway, NJ, USA
Date de publication :
2007
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Source :