DC and RF performance of 0.2-2.4 µm gate ...
Document type :
Communication dans un congrès avec actes
Title :
DC and RF performance of 0.2-2.4 µm gate length InAs/AlSb HEMTs
Author(s) :
Borg, M. [Auteur]
Lefebvre, E. [Auteur]
Malmkvist, M. [Auteur]
Desplanque, Ludovic [Auteur]
Wallart, Xavier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Roelens, Yannick [Auteur]
Dambrine, Gilles [Auteur]
Cappy, Alain [Auteur]
Bollaert, Sylvain [Auteur]
Grahn, J. [Auteur]
Lefebvre, E. [Auteur]
Malmkvist, M. [Auteur]
Desplanque, Ludovic [Auteur]

Wallart, Xavier [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Roelens, Yannick [Auteur]

Dambrine, Gilles [Auteur]

Cappy, Alain [Auteur]

Bollaert, Sylvain [Auteur]

Grahn, J. [Auteur]
Conference title :
19th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM'07
Country :
Japon
Start date of the conference :
2007
Book title :
Proceedings of the 19th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM'07
Publisher :
IEEE, Piscataway, NJ, USA
Publication date :
2007
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Source :