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Development and analysis of low resistance ...
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Type de document :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...)
DOI :
10.1016/j.diamond.2006.06.022
URL permanente :
http://hdl.handle.net/20.500.12210/51613
Titre :
Development and analysis of low resistance ohmic contact to n-AlGaN/GaN HEMT
Auteur(s) :
Soltani, A. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Benmoussa, A. [Auteur]
Touati, S. [Auteur]
Hoel, V. [Auteur]
De Jaeger, J.C. [Auteur]
Laureyns, J. [Auteur]
Cordier, Y. [Auteur]
Marhic, C. [Auteur]
Djouadi, M. A. [Auteur]
Dua, C. [Auteur]
Éditeur :
Elsevier
Date de publication :
2007
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Collections :
  • Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520
Source :
Harvested from HAL
Date de dépôt :
2021-07-27T20:32:32Z
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