Evaluation of AllnN/GaN HEMTs on sapphire ...
Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
DOI :
Titre :
Evaluation of AllnN/GaN HEMTs on sapphire substrate in microwave, time and temperature domains
Auteur(s) :
Medjdoub, Farid [Auteur]
Ducatteau, D. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Carlin, J.E. [Auteur]
Gonschorek, M. [Auteur]
Feltin, E. [Auteur]
Py, M.A. [Auteur]
Grandjean, N. [Auteur]
Kohn, E. [Auteur]
Ducatteau, D. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Carlin, J.E. [Auteur]
Gonschorek, M. [Auteur]
Feltin, E. [Auteur]
Py, M.A. [Auteur]
Grandjean, N. [Auteur]
Kohn, E. [Auteur]
Titre de la revue :
Electronics Letters
Pagination :
309-311
Éditeur :
IET
Date de publication :
2007
ISSN :
0013-5194
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Source :