Photodissociation of hydrogen passivated ...
Document type :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
Title :
Photodissociation of hydrogen passivated dopants in gallium arsenide
Author(s) :
Tong, L. [Auteur]
Larsson, J.A. [Auteur]
Nolan, M. [Auteur]
Murthag, M. [Auteur]
Greer, J.C. [Auteur correspondant]
Barbe, M. [Auteur]
Laboratoire de physique des solides et de cristallogénèse [LPSC]
Bailly, F. [Auteur]
Laboratoire de physique des solides et de cristallogénèse [LPSC]
Chevalier, Jérome [Auteur]
Laboratoire de physique des solides et de cristallogénèse [LPSC]
Sylvestre, S. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Bernard, Dorothee [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Constant, E. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Constant, M. [Auteur]
Laboratoire Avancé de Spectroscopie pour les Intéractions la Réactivité et l'Environnement - UMR 8516 [LASIRE]
Larsson, J.A. [Auteur]
Nolan, M. [Auteur]
Murthag, M. [Auteur]
Greer, J.C. [Auteur correspondant]
Barbe, M. [Auteur]
Laboratoire de physique des solides et de cristallogénèse [LPSC]
Bailly, F. [Auteur]
Laboratoire de physique des solides et de cristallogénèse [LPSC]
Chevalier, Jérome [Auteur]
Laboratoire de physique des solides et de cristallogénèse [LPSC]
Sylvestre, S. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Bernard, Dorothee [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Constant, E. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Constant, M. [Auteur]
Laboratoire Avancé de Spectroscopie pour les Intéractions la Réactivité et l'Environnement - UMR 8516 [LASIRE]
Journal title :
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms
Pages :
234-239
Publisher :
Elsevier
Publication date :
2002
ISSN :
1872-9584
English abstract : [en]
A theoretical and experimental study of the photo-dissociation mechanisms of hydrogen passivated n- and p-type dopants in gallium arsenide is presented. The photo-induced dissociation of the SiGa–H complex has been observed ...
Show more >A theoretical and experimental study of the photo-dissociation mechanisms of hydrogen passivated n- and p-type dopants in gallium arsenide is presented. The photo-induced dissociation of the SiGa–H complex has been observed for relatively low photon energies (3.48 eV), whereas the photo-dissociation of CAs–H is not observed for photon energies up to 5.58 eV. This fundamental difference in the photo-dissociation behavior between the two dopants is explained in terms of the localized excitation energies about the Si–H and C–H bonds.Show less >
Show more >A theoretical and experimental study of the photo-dissociation mechanisms of hydrogen passivated n- and p-type dopants in gallium arsenide is presented. The photo-induced dissociation of the SiGa–H complex has been observed for relatively low photon energies (3.48 eV), whereas the photo-dissociation of CAs–H is not observed for photon energies up to 5.58 eV. This fundamental difference in the photo-dissociation behavior between the two dopants is explained in terms of the localized excitation energies about the Si–H and C–H bonds.Show less >
Language :
Anglais
Popular science :
Non
Source :
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