Title :

Room-temperature Terahertz Emission from Nanometer Field Effect Transistors

Author(s) :

Dyakonova, N. [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Dyakonov, Michel [Auteur]
Laboratoire de Physique Théorique et Astroparticules [LPTA]
El Fatimy, A. [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Lusakowski, J. [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Knap, W. [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Poisson, M.-A. [Auteur]
Morvan, E. [Auteur]
Bollaert, S. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Shchepetov, A. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Roelens, Yannick [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Gaquière, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Théron, Didier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Cappy, A. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Journal title :

Applied Physics Letters

Pages :

141906

Publisher :

American Institute of Physics

Publication date :

2006

ISSN :

0003-6951

English keyword(s) :

ndium compounds
aluminium compounds
gallium compounds
gallium arsenide
III-V semiconductors
wide band gap semiconductors
high electron mobility transistors
submillimetre wave transistors
submillimetre wave generation PACS: 85.30.Tv
84.40.-x

HAL domain(s) :

Physique [physics]/Matière Condensée [cond-mat]/Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

English abstract : [en]

Room-temperature generation of terahertz radiation in nanometer gate length InAlAs/InGaAs and AlGaN/GaN high-mobility transistors is reported. A well-defined source-drain voltage threshold for the emission exists, which ...
Show more >Room-temperature generation of terahertz radiation in nanometer gate length InAlAs/InGaAs and AlGaN/GaN high-mobility transistors is reported. A well-defined source-drain voltage threshold for the emission exists, which depends on the gate bias. Spectral analysis of the emitted radiation is presented. The highest emission power emitted from a single device reached 0.1 µW.Show less >

Language :

Anglais

Peer reviewed article :

Oui

Audience :

Internationale

Popular science :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL