Room-temperature Terahertz Emission from ...
Document type :
Article dans une revue scientifique: Article original
DOI :
Title :
Room-temperature Terahertz Emission from Nanometer Field Effect Transistors
Author(s) :
Dyakonova, N. [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Dyakonov, Michel [Auteur]
Laboratoire de Physique Théorique et Astroparticules [LPTA]
El Fatimy, A. [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Lusakowski, J. [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Knap, W. [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Poisson, M.-A. [Auteur]
Morvan, E. [Auteur]
Bollaert, Sylvain [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Shchepetov, A. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Roelens, Yannick [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Théron, Didier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Cappy, Alain [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Dyakonov, Michel [Auteur]
Laboratoire de Physique Théorique et Astroparticules [LPTA]
El Fatimy, A. [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Lusakowski, J. [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Knap, W. [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Poisson, M.-A. [Auteur]
Morvan, E. [Auteur]
Bollaert, Sylvain [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Shchepetov, A. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Roelens, Yannick [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Gaquiere, Christophe [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Théron, Didier [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Cappy, Alain [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Journal title :
Applied Physics Letters
Pages :
141906
Publisher :
American Institute of Physics
Publication date :
2006
ISSN :
0003-6951
English keyword(s) :
ndium compounds
aluminium compounds
gallium compounds
gallium arsenide
III-V semiconductors
wide band gap semiconductors
high electron mobility transistors
submillimetre wave transistors
submillimetre wave generation PACS: 85.30.Tv
84.40.-x
aluminium compounds
gallium compounds
gallium arsenide
III-V semiconductors
wide band gap semiconductors
high electron mobility transistors
submillimetre wave transistors
submillimetre wave generation PACS: 85.30.Tv
84.40.-x
HAL domain(s) :
Physique [physics]/Matière Condensée [cond-mat]/Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]
English abstract : [en]
Room-temperature generation of terahertz radiation in nanometer gate length InAlAs/InGaAs and AlGaN/GaN high-mobility transistors is reported. A well-defined source-drain voltage threshold for the emission exists, which ...
Show more >Room-temperature generation of terahertz radiation in nanometer gate length InAlAs/InGaAs and AlGaN/GaN high-mobility transistors is reported. A well-defined source-drain voltage threshold for the emission exists, which depends on the gate bias. Spectral analysis of the emitted radiation is presented. The highest emission power emitted from a single device reached 0.1 µW.Show less >
Show more >Room-temperature generation of terahertz radiation in nanometer gate length InAlAs/InGaAs and AlGaN/GaN high-mobility transistors is reported. A well-defined source-drain voltage threshold for the emission exists, which depends on the gate bias. Spectral analysis of the emitted radiation is presented. The highest emission power emitted from a single device reached 0.1 µW.Show less >
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Internationale
Popular science :
Non
Source :