Luminescence properties of InAs dots grown ...
Document type :
Communication dans un congrès avec actes
Title :
Luminescence properties of InAs dots grown by molecular beam epitaxy on metamorphic InxAl1-xAs (0.33 < x < 0.52) buffer layers
Author(s) :
Vignaud, Dominique [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Cordier, Y. [Auteur]
Miska, P. [Auteur]
Ferré, D. [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Cordier, Y. [Auteur]
Miska, P. [Auteur]
Ferré, D. [Auteur]
Conference title :
28th International Symposium on Compound Semiconductors
Country :
Japon
Start date of the conference :
2002
Book title :
Proceedings of the 28th International Symposium on Compound Semiconductors
Publisher :
IOP Publishing, Bristol, UK
Publication date :
2002
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Source :