ANN model for AlGaN/GaN HEMTs constructed ...
Document type :
Communication dans un congrès avec actes
Title :
ANN model for AlGaN/GaN HEMTs constructed from near-optimal-load large-signal measurements
Author(s) :
Schreurs, D. [Auteur]
Verspecht, J. [Auteur]
Vandamme, E. [Auteur]
Vellas, N. [Auteur]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Germain, Marie [Auteur]
Borghs, G. [Auteur]
Verspecht, J. [Auteur]
Vandamme, E. [Auteur]
Vellas, N. [Auteur]
Gaquiere, Christophe [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Germain, Marie [Auteur]
Borghs, G. [Auteur]
Start date of the conference :
2003
Book title :
2003 IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest
Publisher :
IEEE, Piscataway, NJ, USA
Publication date :
2003
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Source :