Title :

Contribution à la réalisation technologique de transistors à effet de champ dans les filières GaAs, InP et GaN pour l'amplification de puissance hyperfréquence

Author(s) :

Boudart, B. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Publication date :

2000

Language :

Français

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL