GaN MESFETs for power and high temperature ...
Document type :
Communication dans un congrès avec actes
Title :
GaN MESFETs for power and high temperature applications
Author(s) :
Boudart, B. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Trassaert, S. [Auteur]
Gaquière, Christophe [Auteur]
Théron, Didier [Auteur]
Crosnier, Y. [Auteur]
Huet, François [Auteur]
Poisson, M.A. [Auteur]
Daumiller, I. [Auteur]
Kohn, E. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Trassaert, S. [Auteur]
Gaquière, Christophe [Auteur]
Théron, Didier [Auteur]

Crosnier, Y. [Auteur]
Huet, François [Auteur]
Poisson, M.A. [Auteur]
Daumiller, I. [Auteur]
Kohn, E. [Auteur]
Conference title :
NearEst Miniworkshop on Advances in the Wide Bandgap Electronics and Opto-Electronics
City :
Padova
Country :
Italie
Start date of the conference :
2000
Publication date :
2000
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Source :