Titre :

AlGaInP barrier layer grown by gas source molecular beam epitaxy for V-band AlGaInP/InGaAs/GaAs power pseudomorphic HEMT

Auteur(s) :

Zaknoune, M. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Schuler, O. [Auteur]
Wallart, X. [Auteur]
Piotrowicz, S. [Auteur]
Mollot, F. [Auteur]
Théron, Didier [Auteur]
Crosnier, Y. [Auteur]

Date de début de la manifestation scientifique :

2000

Titre de l’ouvrage :

Proceedings of the 12th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM 2000

Éditeur :

IEEE, Piscataway, NJ, USA

Date de publication :

2000

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Non spécifiée

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

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