Title :

The electron beam induced reactivation of Si dopants in hydrogenated GaAs : a minority carrier generation effect or an energetic excitation effect ?

Author(s) :

Silvestre, S. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Bernard-Loridant, D. [Auteur]
Constant, E. [Auteur]
Constant, M. [Auteur]
Chevallier, Jacques [Auteur]

Journal title :

Applied Physics Letters

Pages :

3206-3208

Publisher :

American Institute of Physics

Publication date :

2000

ISSN :

0003-6951

Language :

Anglais

Peer reviewed article :

Oui

Audience :

Non spécifiée

Popular science :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

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