The electron beam induced reactivation of ...
Document type :
Article dans une revue scientifique
Title :
The electron beam induced reactivation of Si dopants in hydrogenated GaAs : a minority carrier generation effect or an energetic excitation effect ?
Author(s) :
Silvestre, S. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Bernard-Loridant, D. [Auteur]
Constant, E. [Auteur]
Constant, M. [Auteur]
Chevallier, Jacques [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Bernard-Loridant, D. [Auteur]
Constant, E. [Auteur]
Constant, M. [Auteur]
Chevallier, Jacques [Auteur]
Journal title :
Applied Physics Letters
Pages :
3206-3208
Publisher :
American Institute of Physics
Publication date :
2000
ISSN :
0003-6951
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Source :