Growth of strained Ga1-xInxP layers on GaP ...
Document type :
Communication dans un congrès avec actes
Title :
Growth of strained Ga1-xInxP layers on GaP (001) by gas source molecular beam epitaxy : similarities and differences with the growth of strained arsenides
Author(s) :
Wallart, Xavier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Deresmes, D. [Auteur]
Mollot, F. [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Deresmes, D. [Auteur]
Mollot, F. [Auteur]
Start date of the conference :
2000
Book title :
Journal of Crystal Growth, 227-228
Publisher :
Elsevier
Publication date :
2000
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Source :